2. Мероприятия и целевые индикаторы реализации Стратегии
2. Мероприятия и целевые индикаторы реализации Стратегии 
В части ключевого направления "Научно-техническое развитие" предусматривается:
разработать и промышленно освоить технологии создания и производства цифровой электроники (процессор, контроллер, память) и системного программного обеспечения, силовой электроники, радиоэлектроники, включая СВЧ-электронику и аналоговую электронику, оптоэлектронику, фотонику и радиофотонику, в том числе:
кремниевые технологии производства электронной компонентной базы с топологическими нормами 65 - 45 нм, 28 нм, 14 - 12 нм, 7 - 5 нм и последующий выпуск изделий на их основе;
разработку изделий по кремниевой технологии с топологической нормой 5 нм с последующим выпуском изделий на их основе на зарубежных фабриках и переносом производств в Российскую Федерацию;
кремниевые технологии производства твердотельных средств хранения данных с топологической нормой 25 - 30 нм и количеством слоев не менее 96;
технологии производства приборов отображения информации, в частности дисплеев на основе OLED не ниже 6-го поколения с разрешениями до 2048 x 2048 пикселей, микродисплеев на пластинах диаметром 200 мм;
технологии производства электронной компонентной базы СВЧ-диапазона, в том числе технологии BiCMOS HBT, HEMT, pHEMT с топологической нормой 65 - 45 нм, гетерогенную интеграцию на уровне пластины GaN on Si, SiGe, GaAs;
изделия электронной компонентной базы для терагерцового диапазона частот на основе InP и других материалов для радаров, видеосистем, медицинского оборудования и иных применений;
технологии фотоники, в том числе гетерогенную интеграцию InP с кремниевой технологией для изготовления фотонных интегральных схем, а также технологии для активных и пассивных сенсоров тепловизионных и других оптических систем;
технологии изготовления полупроводниковых лазеров, в том числе на основе GaAs, GaN, InP и соединений на их основе, для всех сфер применения, включая телекоммуникационное оборудование, лазерные сканеры, лидары;
технологии для производства силовой электроники на основе GaN, SiC, высоковольтной (до 6500В и 1200А) и высокотемпературной (до 4500С);
технологию изготовления MEMS сенсоров с топологическими нормами до 0,5 мкм;
технологии источников питания с коэффициентом полезного действия до 99 процентов;
технологии шифрования и криптозащиты, включая аппаратную реализацию технологий блокчейна;
технологии изготовления многослойных жестких, гибких и гибко-жестких печатных плат (до 32 слоев), в том числе с использованием органических материалов;
технологии изготовления пластиковых корпусов;
новые вакуумные технологии.
Планируется разработать и промышленно освоить ключевые технологии и производства:
полупроводниковых материалов во всех необходимых формах (поли- и монокристаллический кремний, карбид кремния, монокристаллический алмаз), эпитаксиальных структур кремния, КНИ (кремний на изоляторе), КНС (кремний на сапфире), КСДИ (кремниевые структуры с диэлектрической изоляцией), гетероэпитаксиальных структур А3В5, А2В6, КРТ (гетероэпитаксиальные структуры тройного соединения кадмий-ртуть-теллур) и др.;
материалов для литографии, в том числе фото-, электронно- и рентгенорезистов, проявителей, планаризирующих и антиотражающих покрытий;
расходных технологических материалов, в том числе кислот, растворителей, травителей, специальных газов и смесей газов, металлоорганических соединений, высокочистых металлов и сплавов, мишеней, композиционных металлических материалов, клеев, паст, компаундов, лаков, флюсов, герметиков и изотопов;
оснастки для изготовления кристаллов и сборки кремниевых сверхбольших интегральных схем и полупроводниковых приборов, сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем и полупроводниковых приборов на А3В5 и А2В6, радиофотонной и фотонной электронной компонентной базы, электронных модулей оптоэлектронных приемников и средств отображения информации, интегральных полупроводниковых, магниторезистивных, тензорезистивных MEMS и MOEMS.
Планируется разработать:
технологии, специальные материалы, технологическое и контрольно-измерительное оборудование для производства фотошаблонов с проектными нормами 250 нм, 180 нм, 90 нм, 65 нм и 28 нм, а также решений для проектных норм 22 - 20 нм, 16 - 14 нм и менее для сверхбольших интегральных схем, сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем, полупроводниковых приборов, MEMS, опто- и фотоэлектроники, радиофотоники на подложках из материалов Si, GaAs, GaN, SiC, структур КНИ (кремний на изоляторе), гетероструктур А3В5 (GaAs, GaN/SiC) и А2В6;
технологии производства сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем и полупроводниковых приборов на А3В5, А2В6 и электронных модулей на их основе, включая технологии на GaAs (pHEMT, PIN, DHFET, BiHEMT, E/D pHEMT, HBT), на GaN (HEMT, pHEMT), на GaAlInSbAs (mHEMT), на GaSb/InAs (HEMT), на InP (HEMT, HBT), на Si (DMOS), на SiGe (HBT BiCMOS), FBAR (AlN/Si/Mo/SiO2) и ДДРВ (Si и SiC);
технологии производства опто- и фотоэлектронной компонентной базы, включая микродисплеи на основе OLED, диодные лазеры, включая вертикально излучающие, на основе InGaAs, InAlAs, мощные ИК-диоды на основе GaAs, микроболометры (VOx, 
-Si), матричные фотоприемники на приборах с зарядовой связью, КМОП (комплементарная структура металл-оксид-полупроводник) и QWIP-структурах;
технологии производства радиофотонной электронной компонентной базы, включая сверхбыстродействующие радиофотонные аналого-цифровые преобразователи и широкополосные радиочастотные приемники, электронные модули базовых блоков интегральной радиофотоники;
технологии производства MEMS и MOEMS, интеллектуальных сенсоров и 3D микросборок, включая инерциальные MEMS (микроакселерометры, микрогироскопы, инклинометры), ВЧ MEMS и актюаторы (переключатели, генераторы, микроактюаторы), MOEMS (оптические переключатели, микрозеркала, микроболометры, модуляторы, кольцевые резонаторы), акустические и акустоэлектронные микросистемы (акустические фильтры, микрофоны, преобразователи частоты), преобразователи магнитного поля и магнитометрические микросистемы на их основе, MEMS для мониторинга состояния окружающей среды и биохимического анализа (датчики давления, датчики газа, датчики влажности, микрофлюидные датчики), микросистемы для человека и биологических объектов.
Необходимо внедрить практику постоянной актуализации перечня перспективных технологий отрасли в формате ежегодного отраслевого технологического прогноза, обеспечить межотраслевую интеграцию и трансфер технологий разработки и производства электронной продукции, создать технологический задел в виде программно-аппаратных комплексов, обеспечивающих реализацию сквозных технологий: большие данные, нейротехнологии и искусственный интеллект, системы распределенного реестра, квантовые технологии, компоненты робототехники и сенсорика, промышленный интернет, технологии беспроводной связи, технологии виртуальной и дополненной реальности.
Планируется обеспечить генерацию и внедрение инновационных решений в формате отраслевых программ и банка инновационных идей, разработку и внедрение российского программного обеспечения, в том числе для телекоммуникационного оборудования.
В части ключевого направления "Средства производства" предусматривается:
обеспечить доступность современных средств проектирования и производства, в том числе через создание и развитие инфраструктуры их совместного использования;
создать:
кремниевые фабрики, работающие в режиме "фаундри" для выпуска цифровых интегральных микросхем с топологическими нормами 28 нм, 14 - 12 нм, 7 - 5 нм;
фабрику с технологией гетероинтеграции с топологической нормой 65 - 45 нм для выпуска СВЧ-электроники и сенсоров;
фабрику на базе технологии SiGe для МИС, сложнофункциональных систем на кристалле для систем радиоэлектроники в диапазонах 100 ГГц и выше;
фабрику с технологией создания нанометровой ЭКБ, МИС, сложнофункциональных систем на кристалле и систем радиоэлектроники в субмиллиметровом диапазоне до 1 ТГц на базе технологий GaN-on-SC, InP и алмаза;
производство фотошаблонов в обеспечение производств нанометровой ЭКБ, МИС с необходимым топологическим уровнем;
производство подложек кремния (в том числе высокоомного) диаметром 200 - 300 мм и поликристаллического алмаза диаметром до 100 мм;
фабрику по производству OLED дисплеев и микродисплеев;
кремниевую фабрику для производства твердотельных накопителей данных;
фабрику многослойных (до 32 слоев) печатных плат до 8-го класса точности;
производство перспективных приемников УФ- и ИК-диапазонов, работающих в двух и более спектральных диапазонах для систем адаптивного и беспилотного управления транспортом.
Необходимо поддержать разработку, производство и использование российских средств проектирования, системного и прикладного программного обеспечения, в том числе через создание доверенной отраслевой технологической платформы, технологий производства, сырьевых ресурсов, материалов и оборудования.
Планируется обеспечить разработку и внедрение технологических процессов для реализации модели "фаундри", преемственность технических решений в виде технологической унификации и унификации по оснащаемому технологическому оборудованию, информатизацию производства для повышения производительности труда и эффективности работы организаций.
Планируется создать:
программные и технические средства систем автоматизированного проектирования, библиотеки сложнофункциональных блоков и технологии проектирования интегральных схем различных уровней интеграции, систем на кристалле и модулей типа "система в корпусе на кремнии", КНИ (кремний на изоляторе), кремний-германий и карбид кремния, сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем и полупроводниковых приборов на А3В5 и А2В6, радиофотонной и оптоэлектронной компонентной базы и электронных модулей оптоэлектронных приемников и средств отображения информации, интегральных полупроводниковых, магниторезистивных, тензорезистивных МЭМС и МОЭМС;
контрольно-измерительное и испытательное оборудование и оснастку, метрологические эталоны и средства поверки для контроля функционирования и измерения параметров и испытаний сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем, полупроводниковых приборов, электронной компонентной базы для радиофотоники и СВЧ-электронных модулей с рабочими частотами до 650 ГГц.
технологическое и инженерное оборудование, технологические линии и оснастка для серийного и опытного производства кристаллов интегральных схем различных уровней интеграции, сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем, полупроводниковых приборов и МЭМС для модернизации существующих предприятий уровня 250 - 180 нм и 90 - 65 нм для перспективных технологических линеек;
технологическое оборудование, комплектацию и оснастку для серийной и опытной сборки, измерений и испытаний интегральных схем различных уровней интеграции, полупроводниковых приборов и оптоэлектронной компонентной базы и электронных модулей, оптоэлектронных приемников и средств отображения информации, интегральных полупроводниковых МЭМС.
Необходимо усилить мощности по проектированию микроэлектроники за счет развития центров коллективного проектирования.
В части ключевого направления "Отраслевые стандарты" предусматривается:
модернизировать отраслевую систему стандартов в соответствии с существующими и перспективными международными требованиями к продукции, технологиям и организационным процессам;
обеспечить разработку национальных стандартов по перспективным видам электронной продукции с последующей их трансформацией в международные;
обеспечить преимущественное использование микроэлектроники и программного обеспечения российского производства при установлении требований (стандартов) к цифровым технологиям.
В части ключевого направления "Кадры" предусматривается:
повысить привлекательность отрасли для профессиональных кадров и молодежного кадрового резерва;
привлечь в отрасль сотрудников, обладающих необходимыми технологическими компетенциями;
обеспечить подготовку, развитие и управление кадрового ресурса отрасли с приоритетом перспективных для будущих изделий и рынков специальностей;
внедрить средне- и долгосрочное планирование, ежегодный мониторинг кадровых потребностей отрасли;
обеспечить актуализацию, разработку и дальнейшее развитие системы профессиональных и образовательных стандартов;
обеспечить внедрение российских разработок в процессы подготовки и переподготовки специалистов.
В части ключевого направления "Управление" предусматривается:
разработать и внедрить автоматизированную систему управления отраслью;
внедрить систему управления рисками развития отрасли;
создать благоприятную для прорывного развития и капитализации отрасли нормативно-правовую базу;
обеспечить внедрение современных бизнес-моделей;
привлечь к реализации Стратегии компании с частным капиталом, успешно работающие на гражданских рынках электроники.
В части ключевого направления "Кооперация" предусматривается:
многократно расширить практику использования существующих производственных, научных и инженерных ресурсов, включая партнерство с иностранными организациями;
определить приоритетные направления кооперации с иностранными производителями в интересах создания и поэтапной локализации базовых технологий, микроэлектроники, оборудования и материалов;
повысить информированность о существующих кооперационных производственных и инженерных возможностях;
исключить регуляторные и организационные барьеры, препятствующие развитию кооперации;
организовать сбор, анализ, обобщение и распространение лучших практик управления кооперацией.
В части ключевого направления "Отраслевая информационная среда" предусматривается:
сформировать и развивать отраслевые базы данных, в том числе распределенные доверенные реестры аппаратуры, электронной компонентной базы, компетенций и мощностей;
обеспечить развитие и унификацию средств информационного обмена в отрасли;
обеспечить актуализацию и развитие системы сбора данных для мониторинга и контроля развития отрасли;
создать цифровую систему управления и мониторинга жизненного цикла электронной продукции;
сформировать информационную среду отрасли.
В части ключевого направления "Рынки и продукция" предусматривается:
обеспечить участие отрасли в реализации мероприятий национальных и федеральных проектов и программ;
внедрить практику регулярного анализа и прогноза развития рынков электроники в интересах системного планирования развития отрасли;
организовать внедрение российских программно-аппаратных комплексов на объектах критической информационной инфраструктуры;
стимулировать спрос на продукцию отрасли, в том числе за счет введения квот на закупку изделий электроники российского производства;
утвердить перечень ключевых компонентов микроэлектроники и обеспечить рост объемов выпуска гражданской продукции на их основе;
обеспечить государственную поддержку приоритетных отраслевых проектов и формирование производственных консорциумов;
обеспечить вывод электронной продукции российского производства на мировые рынки, в том числе по линии экспорта системных технических решений, платформ и сервисов;
определить сферы, в которых применение российских технических решений станет критически значимым приоритетом в условиях киберугроз и санкционного давления;
создать линейку доверенного электронного оборудования за счет поэтапной локализации его производства и разработки встроенного программного обеспечения в целях обеспечения технологической независимости и информационной безопасности;
обеспечить формирование перспективных рынков электронной продукции и предпосылок для занятия лидерских позиций на них;
внести изменения (при необходимости) в федеральные законы "О контрактной системе в сфере закупок товаров, работ, услуг для обеспечения государственных и муниципальных нужд" и "О закупках товаров, работ, услуг отдельными видами юридических лиц" с учетом динамики развития электронной промышленности и необходимости обеспечения приоритетного использования изделий электроники российского производства;
обеспечить вовлечение основных государственных заказчиков и организаций с государственным участием в долгосрочное планирование развития электронной промышленности.
В части ключевого направления "Экономическая эффективность" предусматривается:
обеспечить увеличение стоимости доли электроники в добавленной стоимости конечной продукции;
обеспечить использование в наиболее перспективных сферах базовых технологий российского производства;
повысить уровень локализации производства современных видов электронной продукции, в том числе за счет комплектования электронной компонентной базой российского производства;
обеспечить внедрение современных бизнес-моделей.
Целевые индикаторы Стратегии достигаются в результате реализации государственной программы Российской Федерации "Развитие электронной и радиоэлектронной промышленности".
