Приложение 2. ПЕРЕЧЕНЬ МЕРОПРИЯТИЙ ПОДПРОГРАММЫ "РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ" НА 2007 - 2011 ГОДЫ
Приложение N 2
к подпрограмме "Развитие электронной
компонентной базы" на 2007 - 2011 годы
федеральной целевой программы
"Национальная технологическая база"
на 2007 - 2011 годы 
ПЕРЕЧЕНЬ
МЕРОПРИЯТИЙ ПОДПРОГРАММЫ "РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ
КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ" НА 2007 - 2011 ГОДЫ
(млн. рублей, в ценах соответствующих лет)
──────────────────────────────────────┬────────┬─────────────────────────────────────────────────┬─────────────────────────────────
Мероприятия │ 2007 - │ В том числе │ Ожидаемые результаты
│ 2011 ├─────────┬──────────┬────────┬─────────┬─────────┤
│ годы - │2007 год │ 2008 год │2009 год│2010 год │2011 год │
│ всего │ │ │ │ │ │
──────────────────────────────────────┴────────┴─────────┴──────────┴────────┴─────────┴─────────┴─────────────────────────────────
I. Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы
Направление 1 "Сверхвысокочастотная электроника"
1. Разработка технологии 312 105 147 60 - - создание базовой технологии
производства мощных --- --- --- -- производства мощных
сверхвысокочастотных 208 <*> 70 98 40 сверхвысокочастотных транзисторов
транзисторов на основе на основе гетероструктур
гетероструктур материалов группы материалов группы A3B5 для
A3B5 бортовой и наземной аппаратуры,
разработка комплектов
документации в стандартах единой
системы конструкторской,
технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
2. Разработка базовой технологии 265 - - 60 120 85 создание базовой технологии
производства монолитных --- -- --- -- производства монолитных
сверхвысокочастотных 175 40 79 56 сверхвысокочастотных микросхем и
микросхем и объемных приемо- объемных приемо-передающих
передающих сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных субмодулей
субмодулей X-диапазона X-диапазона на основе
гетероструктур материалов группы
A3B5 для бортовой и наземной
аппаратуры радиолокации, средств
связи, разработка комплектов
документации в стандартах единой
системы конструкторской,
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
3. Разработка базовой технологии 467 153 214 100 - - создание технологии производства
производства мощных --- --- --- --- мощных транзисторов
сверхвысокочастотных 312 102 143 67 сверхвысокочастотного диапазона
полупроводниковых приборов на на основе нитридных
основе нитридных гетероэпитаксиальных структур для
гетероэпитаксиальных структур техники связи, радиолокации
4. Разработка базовой технологии и 770 - - 136 337 297 создание технологии производства
библиотеки элементов для --- --- --- --- на основе нитридных
проектирования и производства 512 90 225 197 гетероэпитаксиальных структур
монолитных интегральных схем мощных сверхвысокочастотных
сверхвысокочастотного диапазона монолитных интегральных схем с
на основе нитридных рабочими частотами до 20 ГГц для
гетероэпитаксиальных структур связной техники, радиолокации,
разработка комплектов
документации в стандартах единой
системы конструкторской,
технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
5. Разработка базовой технологии 357 120 166 71 - - создание базовой технологии
производства --- --- --- -- производства компонентов для
сверхвысокочастотных компонентов 231 80 111 40 сверхвысокочастотных интегральных
и сложнофункциональных блоков схем диапазона 2 - 12 ГГц с
для сверхвысокочастотных высокой степенью интеграции для
интегральных схем высокой аппаратуры радиолокации и связи
степени интеграции на основе бортового и наземного применения,
гетероструктур "кремний - а также бытовой и автомобильной
германий" электроники, разработка
комплектов документации в
стандартах единой системы
конструкторской, технологической
и производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
6. Разработка базовой технологии 532 - - 100 246 186 создание базовой технологии
производства --- --- --- --- производства сверхвысокочастотных
сверхвысокочастотных 352 64 164 124 интегральных схем диапазона 2 - 12
интегральных схем высокой ГГц с высокой степенью интеграции
степени интеграции на основе для аппаратуры радиолокации и
гетероструктур "кремний - связи бортового и наземного
германий" применения, а также бытовой и
автомобильной электроники,
разработка комплектов
документации в стандартах единой
системы конструкторской,
технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
7. Разработка аттестованных 171 60 76 35 - - разработка аттестованных
библиотек сложнофункциональных --- --- -- -- библиотек сложнофункциональных
блоков для проектирования 121 40 51 30 блоков для проектирования
сверхвысокочастотных и широкого спектра
радиочастотных интегральных схем сверхвысокочастотных интегральных
на основе гетеростуктур "кремний схем на SiGe с рабочими частотами
- германий" до 150 ГГц, разработка комплектов
документации в стандартах единой
системы конструкторской,
технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
8. Разработка базовых технологий 207 - - 40 100 67 создание базовых технологий
проектирования кремний- --- -- --- -- проектирования на основе
германиевых сверхвысокочастотных 142 30 67 45 библиотеки сложнофункциональных
и радиочастотных интегральных блоков широкого спектра
схем на основе аттестованной сверхвысокочастотных интегральных
библиотеки сложнофункциональных схем на SiGe с рабочими частотами
блоков до 150 ГГц, разработка комплектов
документации в стандартах единой
системы конструкторской,
технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
9. Разработка базовых технологий 163,5 43,5 60 60 - - создание базовых технологий
производства элементной базы для ----- ---- -- -- производства и конструкций
ряда силовых герметичных модулей 110 30 40 40 элементной базы для высокоплотных
высокоплотных источников источников вторичного
вторичного электропитания электропитания
вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов и
сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры, разработка
узлов аппаратуры комплектов документации в
стандартах единой системы
конструкторской, технологической
и производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
10. Разработка базовых технологий 153 - - - 89 64 создание базовых конструкций и
производства ряда силовых --- -- -- технологии производства
герметичных модулей 102 60 42 высокоэффективных,
высокоплотных источников высокоплотных источников
вторичного электропитания вторичного электропитания
вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов и
сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры на основе
узлов аппаратуры гибридно-пленочной технологии с
применением бескорпусной
элементной базы, разработка
комплектов документации в
стандартах единой системы
конструкторской,
технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
11. Разработка базовых конструкций и 162,5 38,5 74 50 - - создание технологии массового
технологии производства корпусов ----- ---- -- -- производства ряда корпусов мощных
мощных сверхвысокочастотных 110 25 52 33 сверхвысокочастотных приборов для
транзисторов X, C, S, L и P - "бессвинцовой" сборки, разработка
диапазонов из малотоксичных комплектов документации в
материалов с высокой стандартах единой системы
теплопроводностью конструкторской, технологической
и производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
12. Разработка базовых конструкций 150 - - 45 60 45 создание базовых конструктивных
теплоотводящих элементов систем --- -- -- -- рядов элементов систем
охлаждения сверхвысокочастотных 97 30 40 27 охлаждения аппаратуры X и C -
приборов X и C - диапазонов на диапазонов наземных,
основе новых материалов корабельных и воздушно-
космических комплексов
13. Разработка базовой технологии 93 - - - 60 33 создание технологии массового
производства теплоотводящих -- -- -- производства конструктивного
элементов систем охлаждения 62 32 30 ряда элементов систем
сверхвысокочастотных приборов X охлаждения аппаратуры X и C -
и C - диапазонов на основе диапазонов наземных,
новых материалов корабельных и воздушно-
космических комплексов,
разработка комплектов
документации в стандартах
единой системы конструкторской,
технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
14. Разработка базовых технологий 141,5 45,5 53 43 - - создание технологии массового
производства суперлинейных ----- ---- -- -- производства конструктивного
кремниевых сверхвысокочастотных 92 30 35 27 ряда сверхвысокочастотных
транзисторов S и L диапазонов транзисторов S и L диапазонов
для связной аппаратуры, локации
и контрольной аппаратуры,
разработка комплектов
документации в стандартах
единой системы конструкторской,
технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
15. Разработка конструктивно- 170 - - - 95 75 создание конструктивно-
параметрического ряда --- -- -- параметрического ряда
суперлинейных кремниевых 116 70 46 сверхвысокочастотных
сверхвысокочастотных транзисторов S и L диапазонов
транзисторов S и L диапазонов для связной аппаратуры, локации
и контрольной аппаратуры,
разработка комплектов
документации в стандартах
единой системы конструкторской,
технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
16. Разработка технологии измерений 147 60 45 42 - - разработка метрологической
и базовых конструкций установок --- -- -- -- аппаратуры нового поколения для
автоматизированного измерения 97 40 27 30 исследования и контроля
параметров нелинейных моделей параметров полупроводниковых
сверхвысокочастотных структур, активных элементов и
полупроводниковых структур, сверхвысокочастотных монолитных
мощных транзисторов и интегральных схем в
сверхвысокочастотных монолитных производстве и при их
интегральных схем X, C, S, L и использовании
P - диапазонов для их массового
производства
17. Исследование и разработка 161 57 54 50 - - создание технологии
базовых технологий для создания --- -- -- -- унифицированных
нового поколения мощных 107 38 36 33 сверхширокополосных приборов
вакуумно-твердотельных среднего и большого уровня
сверхвысокочастотных приборов и мощности сантиметрового
гибридных малогабаритных диапазона длин волн и
сверхвысокочастотных модулей с сверхвысокочастотных
улучшенными массогабаритными магнитоэлектрических приборов
характеристиками, для перспективных
магнитоэлектрических приборов радиоэлектронных систем и
сверхвысокочастотного аппаратуры связи
диапазона, в том числе: космического базирования,
циркуляторов и фазовращателей, разработка комплектов
вентилей, высокодобротных документации в стандартах
резонаторов, перестраиваемых единой системы конструкторской,
фильтров, микроволновых технологической и
приборов со спиновым производственной документации,
управлением для перспективных ввод в эксплуатацию
радиоэлектронных систем производственной линии
двойного применения
18. Разработка базовых конструкций 141 - - - 89 52 разработка конструктивных рядов
и технологии производства --- -- -- и базовых технологий
нового поколения мощных 95 60 35 производства
вакуумно-твердотельных сверхширокополосных приборов
сверхвысокочастотных приборов и среднего и большого уровня
гибридных малогабаритных мощности сантиметрового
сверхвысокочастотных модулей с диапазона длин волн и
улучшенными массогабаритными сверхвысокочастотных
характеристиками, магнитоэлектрических приборов
магнитоэлектрических приборов для перспективных
сверхвысокочастотного радиоэлектронных систем и
диапазона, в том числе: аппаратуры связи космического
циркуляторов и фазовращателей, базирования, разработка
вентилей, высокодобротных комплектов документации в
резонаторов, перестраиваемых стандартах единой системы
фильтров, микроволновых конструкторской,
приборов со спиновым технологической и
управлением для перспективных производственной
радиоэлектронных систем документации, ввод в
двойного применения эксплуатацию производственной
линии
19. Исследование и разработка 130 45 45 40 - - создание технологических
процессов и базовых технологий --- -- -- -- процессов производства
нанопленочных малогабаритных 87 30 30 27 нанопленочных малогабаритных
сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных
резисторно-индуктивно-емкостных резисторно-индуктивно-емкостных
матриц многофункционального матриц многофункционального
назначения для печатного назначения для печатного
монтажа и монтажа, создание базовой
сверхбыстродействующих (до 150 технологии получения
ГГц) приборов на сверхбыстродействующих (до 150
наногетероструктурах с ГГц) приборов на
квантовыми дефектами наногетероструктурах с
квантовыми дефектами,
разработка комплектов
документации в стандартах
единой системы конструкторской,
технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
20. Разработка базовых конструкций 85 - - - 45 40 создание конструктивных рядов и
и технологии производства -- -- -- базовых технологий производства
нанопленочных малогабаритных 57 30 27 нанопленочных малогабаритных
сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных
резисторно-индуктивно-емкостных резисторно-индуктивно-емкостных
матриц многофункционального матриц многофункционального
назначения для печатного назначения для печатного
монтажа монтажа, разработка комплектов
документации в стандартах
единой системы конструкторской,
технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
21. Разработка базовой технологии 246 90 86 70 - - создание базовой технологии
сверхвысокочастотных p-i-n --- -- -- -- производства элементов и
диодов, матриц, узлов 164 60 57 47 специальных элементов и блоков
управления и портативных портативной аппаратуры
фазированных блоков аппаратуры миллиметрового диапазона длин
миллиметрового диапазона длин волн для нового поколения
волн на основе средств связи, радиолокационных
магнитоэлектронных станций, радионавигации,
твердотельных и измерительной техники,
высокоскоростных цифровых автомобильных радаров, охранных
приборов и устройств с и сигнальных устройств,
функциями адаптации и цифрового разработка комплектов
диаграммообразования документации в стандартах
единой системы конструкторской,
технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
Всего по направлению 1 5024,5 817,5 1020 1002 1241 944
------ ----- ---- ---- ---- ---
3349 545 680 668 827 629
Направление 2 "Радиационно стойкая электронная компонентная база"
22. Разработка базовой технологии 202 51 71 80 - - создание технологии изготовления
радиационно стойких сверхбольших ----- -- ---- ---- микросхем с размерами элементов
интегральных схем уровня 0,5 мкм 134,8 34 47,4 53,4 0,5 мкм на структурах "кремний на
на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм,
сапфире" диаметром 150 мм разработка правил проектирования
базовых библиотек элементов и
блоков цифровых и аналоговых
сверхбольших интегральных схем
расширенной номенклатуры для
организации производства
радиационно стойкой элементной
базы, обеспечивающей выпуск
специальной аппаратуры и систем,
работающих в экстремальных
условиях (атомная энергетика,
космос, военная техника)
23. Разработка базовой технологии 315,4 - - - 59,4 256 создание технологии изготовления
радиационно стойких сверхбольших ----- ---- ----- микросхем с размерами элементов
интегральных схем уровня 0,35 210,3 39,6 170,7 0,35 мкм на структурах "кремний
мкм на структурах "кремний на на сапфире" диаметром 150 мм,
сапфире" диаметром 150 мм разработка правил проектирования
базовых библиотек элементов и
блоков цифровых и аналоговых
сверхбольших интегральных схем,
обеспечивающих создание
расширенной номенклатуры
быстродействующей и высоко
интегрированной радиационно
стойкой элементной базы
24. Разработка технологии 237,5 82,5 71 84 - - создание технологического
проектирования и конструктивно- ----- ---- ---- -- базиса (технология
технологических решений 158,4 55 47,4 56 проектирования, базовые
библиотеки логических и технологии), позволяющего
аналоговых элементов, разрабатывать радиационно
оперативных запоминающих стойкие сверхбольшие
устройств, постоянных интегральные схемы на
запоминающих устройств, структурах "кремний на
сложнофункциональных изоляторе" с проектной нормой
радиационно стойких блоков до 0,25 мкм
контроллеров по технологии
"кремний на изоляторе" с
проектными нормами до 0,25 мкм
25. Разработка технологии 360,1 - - - 81,5 278,6 создание технологического
проектирования и конструктивно- ----- ---- ----- базиса (технология
технологических решений 240 54,3 185,7 проектирования, базовые
библиотеки логических и технологии), позволяющего
аналоговых элементов, разрабатывать радиационно
оперативных запоминающих стойкие сверхбольшие
устройств, постоянных интегральные схемы на
запоминающих устройств, структурах "кремний на
сложнофункциональных изоляторе" с проектной нормой
радиационно стойких блоков до 0,18 мкм
контроллеров по технологии
"кремний на изоляторе" с
проектными нормами до 0,18 мкм
26. Разработка базовых 246 72 98 76 - - создание технологического
технологических процессов --- -- ---- ---- процесса изготовления
изготовления радиационно 164 48 65,3 50,7 сверхбольших интегральных схем
стойкой элементной базы для энергонезависимой, радиационно
сверхбольших интегральных схем стойкой сегнетоэлектрической
энергозависимой памяти уровня 0,35 мкм и
пьезоэлектрической и базовой технологии создания,
магниторезистивной памяти с изготовления и аттестации
проектными нормами 0,35 мкм и радиационно стойкой пассивной
пассивной радиационно стойкой электронной компонентной базы
элементной базы
27. Разработка базовых 261 - - - 56 205 создание технологического
технологических процессов ----- ---- ----- процесса изготовления
изготовления радиационно 174,2 37,3 136,9 сверхбольших интегральных схем
стойкой элементной базы для энергонезависимой, радиационно
сверхбольших интегральных схем стойкой сегнетоэлектрической
энергозависимой памяти уровня 0,18 мкм и
пьезоэлектрической и создания, изготовления и
магниторезистивной памяти с аттестации радиационно стойкой
проектными нормами 0,18 мкм и пассивной электронной
пассивной радиационно стойкой компонентной базы
элементной базы
28. Разработка технологии "кремний 218,8 78 83,2 57,6 - - разработка расширенного ряда
на сапфире" изготовления ряда ----- -- ---- ---- цифровых процессоров,
лицензионно-независимых 145,9 52 55,4 38,5 микроконтроллеров, оперативных
радиационно стойких запоминающих программируемых и
комплементарных металл-окисел перепрограммируемых устройств,
полупроводниковых сверхбольших аналого-цифровых
интегральных схем цифровых преобразователей в радиационно
процессоров обработки сигналов, стойком исполнении для создания
микроконтроллеров и схем специальной аппаратуры нового
интерфейса поколения
29. Разработка технологии структур 374 - - - 74,5 299,5 создание технологии
с ультратонким слоем кремния на ----- ---- ----- проектирования и изготовления
сапфире 249,5 49,8 199,7 микросхем и
сложнофункциональных блоков на
основе ультратонких слоев на
структуре "кремний на сапфире",
позволяющей разрабатывать
радиационно стойкие
сверхбольшие интегральные схемы
с высоким уровнем радиационной
стойкости
30. Разработка базовой технологии и 213,1 60,5 80,6 72 - - разработка конструкции и модели
приборно-технологического ----- ---- ---- -- интегральных элементов и
базиса производства радиационно 135,4 37 50,4 48 технологического маршрута
стойких сверхбольших изготовления радиационно
интегральных схем "система на стойких сверхбольших
кристалле", радиационно стойкой интегральных схем типа "система
силовой электроники для на кристалле" с расширенным
аппаратуры питания и управления температурным диапазоном,
силовых транзисторов и модулей
для бортовых и промышленных
систем управления с пробивными
напряжениями до 75 В и рабочими
токами коммутации до 10 А
31. Разработка элементной базы 109,2 28 33,2 48 - - создание ряда микронанотриодов
радиационно стойких ----- -- ---- -- и микронанодиодов с наивысшей
интегральных схем на основе 79,5 22 25,5 32 радиационной стойкостью для
полевых эмиссионных долговечной аппаратуры
микронанотриодов космического базирования
32. Создание информационной базы 251 - - - 61,1 189,9 разработка комплекса моделей
радиационно стойкой электронной ----- ---- ----- расчета радиационной стойкости
компонентной базы, содержащей 167,3 40,7 126,6 электронной компонентной базы в
модели интегральных обеспечение установления
компонентов, функционирующих в технически обоснованных норм
условиях радиационных испытаний
воздействий, создание
математических моделей
стойкости электронной
компонентной базы, создание
методик испытаний и аттестации
электронной компонентной базы
Всего по направлению 2 2788,1 372 437 417,6 332,5 1229
------ --- ----- ----- ----- -----
1859,3 248 291,4 278,6 221,7 819,6
Направление 3 "Микросистемная техника"
33. Разработка базовых технологий 302 93 112 97 - - создание базовых технологий и
микроэлектромеханических систем --- -- --- -- комплектов технологической
166 61 75 30 документации на изготовление
микроэлектромеханических систем
контроля давления,
микроакселерометров с
чувствительностью по двум и
трем осям, микромеханических
датчиков угловых скоростей,
микроактюаторов
34. Разработка базовых конструкций 424 - - 75 228 121 разработка базовых конструкций
микроэлектромеханических систем --- -- --- --- и комплектов необходимой
277 60 141 76 конструкторской
документации на изготовление
чувствительных элементов:
микросистем контроля давления;
микроакселерометров;
микромеханических датчиков
угловых скоростей;
микроактюаторов с напряжением
управления, предназначенных для
использования в транспортных
средствах, оборудовании топливно-
энергетического комплекса,
машиностроении, медицинской
технике, робототехнике, бытовой
технике
35. Разработка базовых технологий 249 94 110 45 - - создание базовых технологий и
микроакустоэлектромеханических --- -- --- -- комплектов необходимой
систем 161 61 70 30 технологической документации на
изготовление
микроакустоэлектромеханических
систем, основанных на
использовании поверхностных
акустических волн (диапазон
частот до 2 ГГц) и объемно-
акустических волн (диапазон
частот до 8 ГГц),
пьезокерамических элементов,
совместимых с интегральной
технологией микроэлектроники
36. Разработка базовых конструкций 418 - - 71 225 122 разработка базовых конструкций и
микроакустоэлектромеханических --- -- --- --- комплектов необходимой
систем 280 60 143 77 конструкторской документации на
изготовление пассивных
датчиков физических величин:
микроакселерометров;
микрогироскопов на поверхностных
акустических волнах;
датчиков давления и температуры;
датчиков деформации, крутящего
момента и микроперемещений;
резонаторов
37. Разработка базовых технологий 106 51 55 - - - создание базовых технологий
микроаналитических систем --- -- -- изготовления элементов
72 34 38 микроаналитических систем,
чувствительных к газовым,
химическим и биологическим
компонентам внешней среды,
предназначенных для использования
в аппаратуре жилищно-
коммунального хозяйства, в
медицинской и биомедицинской
технике для обнаружения
токсичных, горючих и взрывчатых
материалов
38. Разработка базовых конструкций 224 - - 64 102 58 создание базовых конструкций
микроаналитических систем --- -- --- -- микроаналитических систем,
164 30 86 48 предназначенных для аппаратуры
жилищно-коммунального хозяйства,
медицинской и биомедицинской
техники;
разработка датчиков и
аналитических систем миниатюрных
размеров с высокой
чувствительностью к сверхмалым
концентрациям химических веществ
для осуществления мониторинга
окружающей среды, контроля
качества пищевых продуктов и
контроля утечек опасных и вредных
веществ в технологических
процессах
39. Разработка базовых технологий 151 57 59 35 - - создание базовых технологий
микрооптоэлектромеханических --- -- -- -- выпуска трехмерных оптических и
систем 109 38 41 30 акустооптических функциональных
элементов,
микрооптоэлектромеханических
систем для коммутации и модуляции
оптического излучения,
акустооптических перестраиваемых
фильтров, двухмерных управляемых
матриц микрозеркал
микропереключателей и
фазовращателей
40. Разработка базовых конструкций 208 - - 35 112 61 разработка базовых конструкций и
микрооптоэлектромеханических --- -- --- -- комплектов, конструкторской
систем 145 30 75 40 документации на изготовление
микрооптоэлектромеханических
систем коммутации и модуляции
оптического излучения
41. Разработка базовых технологий 106 51 55 - - - создание базовых технологий
микросистем анализа магнитных --- -- -- изготовления микросистем анализа
полей 72 34 38 магнитных полей на основе
анизотропного и гигантского
магниторезистивного эффектов,
квазимонолитных и монолитных
гетеромагнитных пленочных
структур
42. Разработка базовых конструкций 214 - - 54 104 56 разработка базовых конструкций и
микросистем анализа магнитных --- -- --- -- комплектов конструкторской
полей 137 30 69 38 документации на
магниточувствительные
микросистемы для применения в
электронных системах управления
приводами, в датчиках положения и
потребления, бесконтактных
переключателях
43. Разработка базовых технологий 119 42 45 32 - - разработка и освоение в
радиочастотных микроэлектро- --- -- -- -- производстве базовых технологий
механических систем 89 28 31 30 изготовления радиочастотных
микроэлектромеханических систем и
компонентов, включающих
микрореле, коммутаторы,
микропереключатели
44. Разработка базовых конструкций 166 - - 32 87 47 разработка базовых конструкций и
радиочастотных --- -- -- -- комплектов конструкторской
микроэлектромеханических систем 119 30 58 31 документации на изготовление
радиочастотных
микроэлектромеханических систем -
компонентов, позволяющих получить
резкое улучшение массогабаритных
характеристик, повышение
технологичности и снижение
стоимости изделий
45. Разработка методов и средств 81 41 40 - - - создание методов и средств
обеспечения создания и -- -- -- контроля и измерения параметров и
производства изделий 54 30 24 характеристик изделий
микросистемной техники микросистемотехники, разработка
комплектов стандартов и
нормативных документов по
безопасности и экологии
Всего по направлению 3 2768 429 476 540 858 465
---- --- --- --- --- ---
1845 286 317 360 572 310
Направление 4 "Микроэлектроника"
46. Разработка технологии и развитие 443 173 148,9 121,1 - - разработка комплекта нормативно-
методологии проектирования ----- --- ----- ----- технической документации по
изделий микроэлектроники: 212,6 87 76,6 49 проектированию изделий
разработка и освоение микроэлектроники, создание
современной технологии отраслевой базы данных с
проектирования универсальных каталогами библиотечных элементов
микропроцессоров, процессоров и сложнофункциональных блоков с
обработки сигналов, каталогизированными результатами
микроконтроллеров и "системы на аттестации на физическом уровне
кристалле" на основе (2008 г.), разработка комплекта
каталогизированных нормативно-технической и
сложнофункциональных блоков и технологической документации по
библиотечных элементов, в том взаимодействию центров
числе создание отраслевой базы проектирования в сетевом режиме
данных и технологических файлов
для автоматизированных систем
проектирования;
освоение и развитие технологии
проектирования для обеспечения
технологичности производства и
стабильного выхода годных с
целью размещения заказов на
современной базе контрактного
производства с технологическим
уровнем до 0,13 мкм
47. Разработка и освоение базовой 64 30 22 12 - - разработка комплекта
технологии производства ---- -- ---- -- технологической документации и
фотошаблонов с технологическим 42,7 20 14,7 8 организационно-распорядительной
уровнем до 0,13 мкм с целью документации по взаимодействию
обеспечения информационной центров проектирования и центра
защиты проектов изделий изготовления фотошаблонов
микроэлектроники при
использовании контрактного
производства (отечественного и
зарубежного)
48. Разработка семейств и серий 1050,9 284 336,7 430,2 - - разработка комплектов
изделий микроэлектроники: ----- --- ----- ----- документации в стандартах единой
универсальных микропроцессоров 617,8 151 180 286,8 системы конструкторской,
для встроенных применений; технологической и
универсальных микропроцессоров производственной документации,
для серверов и рабочих станций; изготовление опытных образцов
цифровых процессоров обработки изделий и организация серийного
сигналов; производства
сверхбольших интегральных схем,
программируемых логических
интегральных схем; сверхбольших
интегральных схем
быстродействующей динамической и
статической памяти;
микроконтроллеров со встроенной
энергонезависимой электрически
программируемой памятью; схем
интерфейса дискретного
ввода/вывода; схем аналогового
интерфейса;
цифро-аналоговых и аналого-
цифровых преобразователей
на частотах выше 100 МГц с
разрядностью более 8 - 12 бит;
схем приемопередатчиков шинных
интерфейсов; изделий
интеллектуальной силовой
микроэлектроники для применения
в аппаратуре промышленного и
бытового назначения; встроенных
интегральных источников питания
49. Разработка базовых серийных 1801,6 - - - 799,8 1001,8 разработка комплектов
технологий изделий ------ ----- ------ документации в стандартах единой
микроэлектроники: 1200,9 533,1 667,8 системы конструкторской,
цифро-аналоговых и аналого- технологической и
цифровых преобразователей на производственной документации,
частотах выше 100 МГц с изготовление опытных образцов
разрядностью более 14 - 16 бит изделий и организация серийного
802.11, 802.16, WiMAX и т.д.; производства
микроэлектронных сенсоров
различных типов, включая сенсоры
с применением наноструктур и
биосенсоров;
сенсоров на основе
магнитоэлектрических и
пьезоматериалов; встроенных
интегральных антенных элементов
для диапазонов частот 5 ГГц, 10 -
12 ГГц; систем на кристалле, в
том числе в гетероинтеграции
сенсорных и исполнительных
элементов методом беспроводной
сборки с применением технологии
матричных жестких выводов
50. Разработка технологии и освоение 513,4 51 252,4 210 - - разработка комплектов
производства изделий ----- -- ----- --- документации в стандартах единой
микроэлектроники с 342,3 34 168,3 140 системы конструкторской,
технологическим уровнем 0,13 мкм технологической и ввод в
эксплуатацию производственной
линии
51. Разработка базовой технологии 894,8 - - - 146,3 748,5 разработка комплектов
формирования многослойной ----- ----- ----- документации в стандартах единой
разводки (7 - 8 уровней) 596,2 97,3 498,9 системы конструкторской,
сверхбольших интегральных схем технологической и
на основе Al и Cu производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
52. Разработка технологии и 494,2 - - 211,1 166,4 116,7 разработка комплектов
организация производства ----- ----- ----- ----- документации в стандартах единой
многокристальных 294,2 105,6 110,9 77,7 системы конструкторской,
микроэлектронных модулей для технологической и
мобильных применений с производственной документации,
использованием полимерных и ввод в эксплуатацию
металлополимерных микроплат и производственной линии
носителей
53. Разработка новых методов 258 85 68 105 - - разработка комплектов
технологических испытаний --- -- -- --- документации в стандартах единой
изделий микроэлектроники, 258 85 68 105 системы конструкторской,
гарантирующих их повышенную технологической и
надежность в процессе производственной документации,
долговременной (более 100 000 ввод в эксплуатацию
часов) эксплуатации, на основе специализированных участков
использования типовых оценочных
схем и тестовых кристаллов
54. Разработка современных методов 342 115 132 95 - - разработка комплектов
анализа отказов изделий --- --- --- -- документации, включая
микроэлектроники с применением 342 115 132 95 утвержденные отраслевые методики,
ультраразрешающих методов ввод в эксплуатацию
(ультразвуковая гигагерцовая модернизированных участков и
микроскопия, сканирование лабораторий анализа отказов
синхротронным излучением,
атомная и туннельная силовая
микроскопия, электронно- и
ионно-лучевое зондирование и
др.)
Всего по направлению 4 5861,9 738 960 1184,4 1112,5 1867
------ --- ----- ------ ------ ------
3906,7 492 639,6 789,4 741,3 1244,4
Направление 5 "Электронные материалы и структуры"
55. Разработка технологии 132 54 51 27 - - внедрение новых диэлектрических
производства новых --- -- -- -- материалов на основе
диэлектрических материалов на 85 36 32 17 ромбоэдрической модификации
основе ромбоэдрической нитрида бора и подложек из
модификации нитрида бора и поликристаллического алмаза с
подложек из поликристаллического повышенной теплопроводностью и
алмаза электропроводностью для создания
нового поколения
высокоэффективных и надежных
сверхвысокочастотных приборов
56. Разработка технологии 131 - - - 77 54 создание технологии производства
производства --- -- -- гетероэпитаксиальных структур и
гетероэпитаксиальных структур и 87 51 36 структур гетеробиполярных
структур гетеробиполярных транзисторов на основе нитридных
транзисторов на основе нитридных соединений A3B5 для обеспечения
соединений A3B5 для мощных разработок и изготовления
полупроводниковых приборов и сверхвысокочастотных монолитных
сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем и мощных
интегральных схем транзисторов
57. Разработка базовой технологии 129 52 50 27 - - создание базовой технологии
производства метаморфных --- -- -- -- производства гетероструктур и
структур на основе GaAs и 84 34 32 18 псевдоморфных структур на
псевдоморфных структур на подложках InP для перспективных
подложках InP для приборов полупроводниковых приборов и
сверхвысокочастотной электроники сверхвысокочастотных монолитных
диапазона 60 - 90 ГГц интегральных схем диапазона 60 -
90 ГГц
58. Разработка технологии 133 - - - 79 54 создание спинэлектронных
производства спинэлектронных --- -- -- магнитных материалов и
магнитных материалов, 88 52 36 микроволновых структур со
радиопоглощающих и спиновым управлением для создания
мелкодисперсных ферритовых перспективных микроволновых
материалов для сверхвысокочастотных приборов
сверхвысокочастотных приборов повышенного быстродействия и
низкого энергопотребления
59. Разработка технологии 128 51 50 27 - - создание технологии массового
производства высокочистых --- -- -- -- производства высокочистых
химических материалов (аммиака, 85 36 31 18 химических материалов (аммиака,
арсина, фосфина, тетрахлорида арсина, фосфина, тетрахлорида
кремния) в обеспечение кремния) для выпуска
производства полупроводниковых полупроводниковых подложек
подложек нитрида галлия, нитрида галлия, арсенида галлия,
арсенида галлия, фосфида индия, фосфида индия, кремния и
кремния и гетероэпитаксиальных гетероэпитаксиальных структур на
структур на их основе их основе
60. Разработка технологии 134 - - - 79 55 создание технологии производства
производства поликристаллических --- -- -- поликристаллических алмазов и его
алмазов и их пленок для 88 52 36 пленок для мощных
теплопроводных конструкций сверхвысокочастотных приборов
мощных выходных транзисторов и
сверхвысокочастотных приборов
61. Исследование путей и разработка 98 41 36 21 - - создание технологии изготовления
технологии изготовления новых -- -- -- -- новых микроволокон на основе
микроволокон на основе 65 27 24 14 двухмерных диэлектрических и
двухмерных диэлектрических и металлодиэлектрических микро- и
металлодиэлектрических микро- и наноструктур для новых классов
наноструктур, а также микроструктурных приборов,
полупроводниковых нитей с магниторезисторов, осцилляторов,
наноразмерами при вытяжке устройств оптоэлектроники
стеклянного капилляра,
заполненного жидкой фазой
полупроводника
62. Разработка технологии 106 - - 25 44 37 создание базовой пленочной
выращивания слоев пьезокерамики --- -- -- -- технологии пьезокерамических
на кремниевых подложках для 69 17 28 24 элементов, совместимой с
формирования комплексированных комплементарной металло-оксидной
устройств микросистемной техники полупроводниковой технологией для
разработки нового класса активных
пьезокерамических устройств,
интегрированных с микросистемами
63. Разработка методологии и базовых 98 41 36 21 - - создание технологии травления и
технологий создания многослойных -- -- -- -- изготовления кремниевых
кремниевых структур с 64 26 24 14 трехмерных базовых элементов
использованием "жертвенных" и микроэлектромеханических систем с
"стопорных" диффузионных и использованием "жертвенных" и
диэлектрических слоев для "стопорных" слоев для серийного
производства силовых приборов и производства элементов
элементов микроэлектромеханических систем
микроэлектромеханических систем кремниевых структур с
использованием силикатных стекол,
моно-, поликристаллического и
пористого кремния и диоксида
кремния
64. Разработка базовых технологий 105 - - - 61 44 создание технологии получения
получения алмазных --- -- -- алмазных полупроводниковых
полупроводниковых наноструктур и 70 41 29 наноструктур и наноразмерных
наноразмерных органических органических покрытий, алмазных
покрытий с широким диапазоном полупроводящих пленок для
функциональных свойств конкурентоспособных
высокотемпературных и радиационно
стойких устройств и приборов
двойного назначения
65. Исследование и разработка 191 50 57 84 - - создание технологии изготовления
технологии роста эпитаксиальных --- -- -- -- гетероструктур и эпитаксиальных
слоев карбида кремния, структур 128 35 38 55 структур на основе нитридов для
на основе нитридов, а также создания радиационно стойких
формирования изолирующих и сверхвысокочастотных и силовых
коммутирующих слоев в приборах приборов нового поколения
экстремальной электроники
66. Разработка технологии 227 67 52 108 - - создание технологии производства
производства радиационно стойких --- -- -- --- структур "кремний на сапфире"
сверхбольших интегральных схем 130 40 35 55 диаметром до 150 мм с толщиной
на ультратонких приборного слоя до 0,1 мкм и
гетероэпитаксиальных структурах топологическими нормами до 0,18
кремния на сапфировой подложке мкм для производства электронной
для производства электронной компонентной базы специального и
компонентной базы специального и двойного назначения
двойного применения
67. Разработка технологии 191 45 54 92 - - создание технологии производства
производства высокоомного --- -- -- -- радиационно облученного кремния и
радиационно облученного кремния, 126 30 36 60 пластин кремния до 150 мм для
слитков и пластин кремния выпуска мощных транзисторов и
диаметром до 150 мм для сильноточных тиристоров нового
производства силовых поколения
полупроводниковых приборов
68. Разработка технологии 114 22 36 56 - - разработка и промышленное
производства кремниевых подложек --- -- -- -- освоение получения
и структур для силовых 83 20 24 39 высококачественных подложек и
полупроводниковых приборов с структур для использования в
глубокими высоколегированными производстве силовых
слоями p- и n-типов проводимости полупроводниковых приборов, с
и скрытыми слоями носителей с глубокими высоколегированными
повышенной рекомбинацией слоями и скрытыми слоями
носителей с повышенной
рекомбинацией
69. Разработка технологии 326 110 72 144 - - создание технологии производства
производства электронного --- --- -- --- пластин кремния диаметром до 200
кремния, кремниевых пластин 233 71 48 114 мм и эпитаксиальных структур
диаметром до 200 мм и кремниевых уровня 0,25 - 0,18 мкм
эпитаксиальных структур уровня
технологии 0,25 - 0,18 мкм
70. Разработка методологии, 232 - - - 109 123 разработка технологии
конструктивно-технических --- --- --- корпусирования интегральных схем
решений и перспективной базовой 161 78 83 и полупроводниковых приборов на
технологии корпусирования основе использования многослойных
интегральных схем и кремниевых структур со сквозными
полупроводниковых приборов на токопроводящими каналами,
основе использования обеспечивающей сокращение состава
многослойных кремниевых структур сборочных операций и формирование
со сквозными токопроводящими трехмерных структур
каналами
71. Разработка технологии 220 - - - 85 135 создание базовой технологии
производства гетероструктур SiGe --- -- --- производства гетероструктур SiGe
биполярной комплементарной 143 53 90 для выпуска быстродействующих
металл-окисел полупроводниковой сверхбольших интегральных схем с
технологии для разработки топологическими нормами 0,25 -
приборов с топологическими 0,18 мкм
нормами 0,25 - 0,18 мкм
72. Разработка технологии 78 32 28 18 - - создание технологии выращивания и
выращивания и обработки, в том -- -- -- -- обработки пьезоэлектрических
числе плазмохимической, новых 55 21 22 12 материалов акустоэлектроники и
пьезоэлектрических материалов акустооптики для обеспечения
для акустоэлектроники и производства широкой номенклатуры
акустооптики акустоэлектронных устройств
нового поколения
73. Разработка технологий 87 - - - 32 55 создание технологии массового
производства -- -- -- производства исходных материалов
соединений A3B5 и тройных 58 22 36 и структур для перспективных
структур для: приборов лазерной и
производства сверхмощных оптоэлектронной техники, в том
лазерных диодов; числе:
высокоэффективных светодиодов производства сверхмощных лазерных
белого, зеленого, синего и диодов;
ультрафиолетового диапазонов; высокоэффективных светодиодов
фотоприемников среднего белого, зеленого, синего и
инфракрасного диапазона ультрафиолетового диапазонов;
фотоприемников среднего
инфракрасного диапазона
74. Исследование и разработка 80 32 30 18 - - создание технологии производства
технологии получения -- -- -- -- принципиально новых материалов
гетероструктур с вертикальными 55 22 22 11 полупроводниковой электроники на
оптическими резонаторами на основе сложных композиций для
основе квантовых ям и квантовых перспективных приборов лазерной и
точек для производства оптоэлектронной техники
вертикально излучающих лазеров
для устройств передачи
информации и матриц для
оптоэлектронных переключателей
нового поколения
75. Разработка технологии 86 - - - 32 54 создание технологии производства
производства современных -- -- -- компонентов для
компонентов для 57 22 35 специализированных электронно-
специализированных лучевых;
фотоэлектронных приборов, в том электроннооптических и
числе: отклоняющих систем;
катодов и газопоглотителей; стеклооболочек и деталей из
электронно-оптических и электровакуумного стекла
отклоняющих систем; различных марок
стеклооболочек и деталей из
электровакуумного стекла
различных марок
76. Разработка технологии 80 33 30 17 - - создание технологии производства
производства особо тонких -- -- -- -- особо тонких гетерированных
гетерированных нанопримесями 54 22 20 12 нанопримесями полупроводниковых
полупроводниковых структур для структур для изготовления
высокоэффективных фотокатодов, высокоэффективных фотокатодов
электронно-оптических электронно-оптических
преобразователей и преобразователей и
фотоэлектронных умножителей, фотоэлектронных умножителей,
приемников инфракрасного приемников инфракрасного
диапазона, солнечных элементов и диапазона, солнечных элементов и
др., фотоэлектронных приборов с других приложений
высокими значениями коэффициента
полезного действия
77. Разработка базовой технологии 85 - - - 32 53 создание технологии
производства монокристаллов AlN -- -- -- монокристаллов AlN для
для изготовления изолирующих и 58 22 36 изготовления изолирующих и
проводящих подложек для проводящих подложек для создания
гетероструктур полупроводниковых
высокотемпературных и мощных
сверхвысокочастотных приборов
нового поколения
78. Разработка базовой технологии 80 33 30 17 - - создание базовой технологии
производства -- -- -- -- вакуумно-плотной спецстойкой
наноструктурированных оксидов 54 22 20 12 керамики из нанокристаллических
металлов (корунда и т.п.) для порошков и нитридов металлов для
производства вакуумно-плотной промышленного освоения
нанокерамики, в том числе с спецстойких приборов нового
заданными оптическими свойствами поколения, в том числе
микрочипов, сверхвысокочастотных
аттенюаторов, RLC-матриц, а также
особо прочной электронной
компонентной базы оптоэлектроники
и фотоники
79. Разработка базовой технологии 86 - - - 33 53 создание технологии производства
производства полимерных и -- -- -- полимерных и композиционных
гибридных органо-неорганических 58 21 37 материалов с использованием
наноструктурированных защитных поверхностной и объемной
материалов для электронных модификации полимеров
компонентов нового поколения наноструктурированными
прецизионных и наполнителями для создания
сверхвысокочастотных резисторов, изделий с высокой механической,
терминаторов, аттенюаторов и термической и радиационной
резисторно-индукционно-емкостных стойкостью при работе в условиях
матриц, стойких к воздействию длительной эксплуатации и
комплекса внешних и специальных воздействии комплекса специальных
факторов внешних факторов
Всего по направлению 5 3357 663 612 702 663 717
---- --- --- --- --- ---
2238 442 408 468 442 478
Направление 6 "Группы пассивной электронной компонентной базы"
80. Разработка технологии выпуска 57 24 18 15 - - разработка расширенного ряда
прецизионных -- -- -- -- резонаторов с повышенной
температуростабильных 38 16 12 10 кратковременной и долговременной
высокочастотных до 1,5 - 2 ГГц стабильностью для создания
резонаторов на поверхностно контрольной и связной аппаратуры
акустических волнах до 1,5 ГГц с двойного назначения
полосой до 70 процентов и
длительностью сжатого сигнала до
2 - 5 нс
81. Разработка в лицензируемых и 120 - - 21 48 51 создание технологии и конструкции
нелицензируемых международных --- -- -- -- акустоэлектронных пассивных и
частотных диапазонах 860 МГц и 80 14 32 34 активных меток-транспондеров для
2,45 ГГц ряда радиочастотных применения в логистических
пассивных и активных приложениях на транспорте, в
акустоэлектронных меток- торговле и промышленности
транспондеров, в том числе
работающих в реальной помеховой
обстановке, для систем
радиочастотной идентификации и
систем управления доступом
82. Разработка базовой конструкции и 56 24 17 15 - - создание технологии
промышленной технологии -- -- -- -- проектирования и базовых
производства пьезокерамических 37 16 11 10 конструкций пьезоэлектрических
фильтров в корпусах для фильтров в малогабаритных
поверхностного монтажа корпусах для поверхностного
монтажа при изготовлении связной
аппаратуры массового применения
83. Разработка технологии 125 86 39 - - - создание базовой технологии
проектирования, базовой --- -- -- акустоэлектронных приборов для
технологии производства и 83 57 26 перспективных систем связи,
конструирования измерительной и навигационной
акустоэлектронных устройств аппаратуры нового поколения -
нового поколения и фильтров подвижных, спутниковых,
промежуточной частоты с высокими тропосферных и радиорелейных
характеристиками для современных линий связи, цифрового
систем связи, включая интерактивного телевидения,
высокоизбирательные радиоизмерительной аппаратуры,
высокочастотные устройства радиолокационных станций,
частотной селекции на спутниковых навигационных систем
поверхностных и приповерхностных
волнах и волнах Гуляева-
Блюштейна с предельно низким
уровнем вносимого затухания для
частотного диапазона до 5 ГГц
84. Разработка технологии 96 - - 33 63 - создание технологии производства
проектирования и базовой -- -- -- высокоинтегрированной электронной
технологии производства 64 22 42 компонентной базы типа "система в
функциональных законченных корпусе" для вновь
устройств стабилизации, селекции разрабатываемых и модернизируемых
частоты и обработки сигналов сложных радиоэлектронных систем и
типа "система в корпусе" комплексов
85. Разработка базовой конструкции и 69 - - - 48 21 создание базовой технологии (2010
технологии изготовления -- -- -- г.) и базовой конструкции
высокочастотных резонаторов и 46 32 14 микроминиатюрных высокодобротных
фильтров на объемных фильтров для малогабаритной и
акустических волнах для носимой аппаратуры навигации и
телекоммуникационных и связи
навигационных систем
86. Разработка технологии и базовой 80 50 30 - - - создание нового поколения
конструкции фоточувствительных -- -- -- оптоэлектронных приборов для
приборов с матричными 53 33 20 обеспечения задач предотвращения
приемниками высокого разрешения аварий и контроля
для видимого и ближнего
инфракрасного диапазона для
аппаратуры контроля изображений
87. Разработка базовой технологии 50 13 16 21 - - создание базовой технологии
унифицированных электронно- -- -- -- -- нового поколения приборов
оптических преобразователей, 33 9 10 14 контроля тепловых полей для задач
микроканальных пластин, теплоэнергетики, медицины,
пироэлектрических матриц и камер поисковой и контрольной
на их основе с чувствительностью аппаратуры на транспорте,
до 0,1 К и широкого продуктопроводах и в охранных
инфракрасного диапазона системах
88. Разработка базовой технологии 129 45 45 39 - - создание базовой технологии (2008
создания интегрированных --- -- -- -- г.) и конструкции новых типов
гибридных фотоэлектронных 85 30 30 25 приборов, сочетающих
высокочувствительных и фотоэлектронные и твердотельные
высокоразрешающих приборов и технологии, с целью получения
усилителей для задач экстремально достижимых
космического мониторинга и характеристик для задач контроля
специальных систем наблюдения, и наблюдения в системах двойного
научной и метрологической назначения
аппаратуры
89. Разработка базовых технологий 159 63 45 51 - - создание базовой технологии (2008
мощных полупроводниковых --- -- -- -- г.) и конструкций принципиально
лазерных диодов (непрерывного и 106 42 30 34 новых мощных диодных лазеров,
импульсного излучения) предназначенных для широкого
специализированных лазерных применения в изделиях двойного
полупроводниковых диодов, назначения, медицины,
фотодиодов и лазерных волоконно- полиграфического оборудования и
оптических модулей для создания системах открытой оптической
аппаратуры и систем нового связи
поколения
90. Разработка и освоение базовых 98 - - 15 60 23 разработка базового комплекта
технологий для лазерных -- -- -- -- основных оптоэлектронных
навигационных приборов, включая 65 10 40 15 компонентов для лазерных
интегральный оптический модуль гироскопов широкого применения
лазерного гироскопа на базе (2010 г.), создание комплекса
сверхмалогабаритных кольцевых технологий обработки и
полупроводниковых лазеров формирования структурных и
инфракрасного диапазона, приборных элементов, оборудования
оптоэлектронные компоненты для контроля и аттестации,
широкого класса инерциальных обеспечивающих новый уровень
лазерных систем управления технико-экономических показателей
движением гражданских и производства
специальных средств транспорта
91. Разработка базовых конструкций и 74 27 22 25 - - создание базовой технологии
технологий создания квантово- -- -- -- -- твердотельных чип-лазеров для
электронных приемо-передающих 50 18 15 17 лазерных дальномеров,
модулей для малогабаритных твердотельных лазеров с
лазерных дальномеров нового пикосекундными длительностями
поколения на основе импульсов для установок по
твердотельных чип-лазеров с прецизионной обработке
полупроводниковой накачкой, композитных материалов, для
технологических лазерных создания элементов и изделий
установок широкого спектрального микромашиностроения и в
диапазона производстве электронной
компонентной базы нового
поколения, мощных лазеров для
применения в машиностроении,
авиастроении, автомобилестроении,
судостроении, в составе
промышленных технологических
установок обработки и сборки,
систем экологического мониторинга
окружающей среды, контроля
выбросов патогенных веществ,
контроля утечек в
продуктопроводах
92. Разработка базовых технологий 127 60 55 12 - - создание технологии получения
формирования конструктивных --- -- -- -- широкоапертурных элементов на
узлов и блоков для лазеров 85 40 37 8 основе алюмоиттриевой
нового поколения и технологии легированной керамики композитных
создания полного комплекта составов для лазеров с диодной
электронной компонентной накачкой (2008 г.),
базы для производства лазерного высокоэффективных
устройства определения наличия преобразователей частоты
опасных, взрывчатых, отравляющих лазерного излучения, организация
и наркотических веществ в промышленного выпуска оптических
контролируемом пространстве изделий и лазерных элементов
широкой номенклатуры
93. Разработка базовых технологий, 82 30 25 27 - - разработка расширенной серии
базовой конструкции и -- -- -- -- низковольтных
организация производства 55 20 17 18 катодолюминесцентных и других
интегрированных дисплеев с широким диапазоном
катодолюминесцентных и других эргономических характеристик и
дисплеев двойного назначения со свойств по условиям применения
встроенным микроэлектронным для информационных и контрольных
управлением систем
94. Разработка технологии и базовых 72 27 24 21 - - создание ряда принципиально новых
конструкций высокояркостных -- -- -- -- светоизлучающих приборов с
светодиодов и индикаторов 48 18 16 14 минимальными геометрическими
основных цветов свечения для размерами, высокой надежностью и
систем подсветки в приборах устойчивостью к механическим и
нового поколения климатическим воздействиям,
обеспечивающих энергосбережение
за счет замены ламп накаливания в
системах подсветки аппаратуры и
освещения
95. Разработка базовой технологии и 90 - - 15 57 18 создание базовой технологии
конструкции оптоэлектронных -- -- -- -- производства нового поколения
приборов (оптроны, оптореле, 60 10 38 12 оптоэлектронной высокоэффективной
светодиоды) в миниатюрных и надежной электронной
корпусах для поверхностного компонентной базы для
монтажа промышленного оборудования и
систем связи
96. Разработка схемотехнических 81 30 24 27 - - создание технологии новых классов
решений и унифицированных -- -- -- -- носимой и стационарной
базовых конструкций и технологий 54 20 16 18 аппаратуры, экранов отображения
формирования твердотельных информации коллективного
видеомодулей на пользования повышенных емкости и
полупроводниковых формата
светоизлучающих структурах для
носимой аппаратуры, экранов
индивидуального и
коллективного пользования с
бесшовной стыковкой
97. Разработка базовой технологии 93 33 30 30 - - создание технологии массового
изготовления высокоэффективных -- -- -- -- производства солнечных элементов
солнечных элементов на базе 62 22 20 20 для индивидуального и
использования кремния, коллективного использования в
полученного по "бесхлоридной" труднодоступных районах, развития
технологии и технологии "литого" солнечной энергетики в жилищно-
кремния прямоугольного сечения коммунальном хозяйстве в
обеспечение задач
энергосбережения
98. Разработка базовой технологии и 59 21 18 20 - - создание технологии массового
освоение производства -- -- -- -- производства нового класса
оптоэлектронных реле с 39 14 12 13 оптоэлектронных приборов для
повышенными техническими широкого применения в
характеристиками для радиоэлектронной аппаратуре
поверхностного монтажа
99. Комплексное исследование и 162 - - 33 99 30 создание базовой технологии
разработка технологий получения --- -- -- -- массового производства экранов с
новых классов органических 108 22 66 20 предельно низкой удельной
(полимерных) люминофоров, стоимостью для информационных и
пленочных транзисторов на основе обучающих систем
"прозрачных" материалов,
полимерной пленочной основы и
технологий изготовления
крупноформатных гибких и особо
плоских экранов, в том числе на
базе высокоразрешающих процессов
струйной печати и непрерывного
процесса изготовления типа "с
катушки на катушку"
100. Разработка базовых конструкций и 183 - 45 33 105 - создание технологии и конструкции
технологии активных матриц и --- -- -- --- активно-матричных органических
драйверов плоских экранов на 122 30 22 70 электролюминесцентных,
основе аморфных, жидкокристаллических и
поликристаллических и катодолюминесцентных дисплеев,
кристаллических кремниевых стойких к внешним специальным и
интегральных структур на климатическим воздействиям
различных подложках и создание
на их основе перспективных
видеомодулей, включая
органические
электролюминесцентные,
жидкокристаллические и
катодолюминесцентные, создание
базовой технологии серийного
производства монолитных модулей
двойного назначения
101. Разработка базовой конструкции и 162 - - 33 99 30 создание технологии и базовых
технологии крупноформатных --- -- -- -- конструкций полноцветных
полноцветных газоразрядных 108 22 66 20 газоразрядных видеомодулей
видеомодулей специального и двойного
назначения для наборных экранов
коллективного пользования
102. Разработка технологии сверх- 72 - 24 18 30 - разработка расширенного ряда
прецизионных резисторов и -- -- -- -- сверхпрецизионных резисторов,
гибридных интегральных схем 48 16 12 20 гибридных интегральных схем
цифро-аналоговых и аналого- цифро-аналоговых и аналого-
цифровых преобразователей на их цифровых преобразователей с
основе в металлокерамических параметрами, превышающими уровень
корпусах для аппаратуры двойного существующих отечественных и
назначения зарубежных изделий для аппаратуры
связи, диагностического контроля,
медицинского оборудования,
авиастроения, станкостроения,
измерительной техники
103. Разработка базовой технологии 105 - - - 45 60 разработка расширенного ряда
особо стабильных и особо точных --- -- -- сверхпрецизионных резисторов с
резисторов широкого диапазона 70 30 40 повышенной удельной мощностью
сопротивления, прецизионных рассеяния, высоковольтных
датчиков тока для измерительной высокоомных резисторов для
и контрольной аппаратуры и измерительной техники, приборов
освоение их производства ночного видения и
аппаратуры контроля
104. Разработка технологии и базовых 192 - - 24 78 90 создание базовой технологии и
конструкций резисторов и --- -- -- -- конструкции резисторов с
резистивных структур нового 128 16 52 60 повышенными значениями
поколения для поверхностного стабильности, удельной мощности в
монтажа, в том числе: резисторов чип-исполнении на основе
с повышенными характеристиками, многослойных монолитных структур
ультранизкоомных резисторов,
малогабаритных подстроечных
резисторов, интегральных сборок
серии нелинейных
полупроводниковых резисторов в
многослойном исполнении чип-
конструкции
105. Разработка технологий 90 42 36 12 - - создание базовой технологии
формирования интегрированных -- -- -- -- производства датчиков на
резистивных структур с 60 28 24 8 резистивной основе с высокими
повышенными технико- техническими характеристиками и
эксплуатационными надежностью
характеристиками на основе
микроструктурированных
материалов и методов групповой
сборки
106. Создание групповой технологии 105 45 30 30 - - создание технологии
автоматизированного производства --- -- -- -- автоматизированного производства
толстопленочных чип- и микрочип- 70 30 20 20 чип- и микрочип-резисторов (в
резисторов габаритах 0402, 0201 и менее) для
применения в массовой аппаратуре
107. Разработка новых базовых 129 - 24 30 75 - создание базовой технологии
технологий и конструктивных --- -- -- -- производства конденсаторов с
решений изготовления танталовых 86 16 20 50 качественно улучшенными
оксидно-полупроводниковых и характеристиками с электродами из
оксидно-электролитических неблагородных металлов при
конденсаторов и чип- сохранении высокого уровня
конденсаторов и организация надежности
производства конденсаторов с
повышенным удельным зарядом,
сверхнизким значением
внутреннего сопротивления и
улучшенными потребительскими
характеристиками
108. Разработка комплексной базовой 65 24 20 21 - - создание базовых технологий
технологии и организация -- -- -- -- конденсаторов и ионисторов на
производства конденсаторов с 43 16 13 14 основе полимерных материалов с
органическим диэлектриком и повышенным удельным зарядом и
повышенными удельными энергоемких накопительных
характеристиками и ионисторов с конденсаторов с повышенной
повышенным током разряда удельной энергией
109. Разработка технологии, базовых 115 - - 25 60 30 создание технологии и базовых
конструкций высоковольтных --- -- -- -- конструкций нового поколения
(быстродействующих, мощных) 77 17 40 20 выключателей для радиоэлектронной
вакуумных выключателей нового аппаратуры с повышенными тактико-
поколения с предельными техническими характеристиками и
характеристиками для надежностью
радиотехнической аппаратуры с
высокими сроками службы
110. Разработка технологий создания 74 25 24 25 - - создание технологии изготовления
газонаполненных высоковольтных -- -- -- -- коммутирующих устройств для
высокочастотных коммутирующих 50 17 16 17 токовой коммутации цепей в
устройств для токовой коммутации широком диапазоне напряжений и
цепей с повышенными техническими токов для радиоэлектронных и
характеристиками электротехнических систем
111. Разработка полного комплекта 57 30 27 - - - создание технологии выпуска
электронной компонентной базы -- -- -- устройств грозозащиты в
для создания модульного 38 20 18 индивидуальном, промышленном и
устройства грозозащиты зданий и гражданском строительстве,
сооружений с обеспечением строительстве пожароопасных
требований по международным объектов
стандартам
112. Разработка базовых конструкций и 151 54 46 51 - - создание базовой технологии
технологий изготовления --- -- -- -- формирования высококачественных
малогабаритных переключателей с 101 36 31 34 гальванических покрытий,
повышенными сроками службы для технологии прецизионного
печатного монтажа формирования изделий для
автоматизированных систем
изготовления коммутационных
устройств широкого назначения
Всего по направлению 6 3379 753 684 722 867 353
---- --- --- --- --- ---
2252 502 456 481 578 235
Направление 7 "Обеспечивающие работы"
113. Разработка организационных 62 12 9 15 11 15 разработка комплекта методической
принципов и научно-технической -- -- - -- -- -- и научно-технической документации
базы обеспечения проектирования 41 8 6 10 7 10 в обеспечение функционирования
и производства электронной систем проектирования и
компонентной базы в соответствии производства электронной
с требованиями Всемирной компонентной базы в соответствии
торговой организации с требованиями Всемирной торговой
организации
114. Создание и обеспечение 124 24 20 30 22 28 разработка новых и
функционирования системы --- -- -- -- -- -- совершенствование существующих
испытаний электронной 84 16 13 20 15 19 методов испытаний электронной
компонентной базы, компонентной базы, разработка
обеспечивающей поставку изделий методов отбраковочных испытаний
с гарантированной надежностью перспективной электронной
для комплектации систем компонентной базы, обеспечение
специального и двойного поставки изделий с
назначения гарантированной надежностью для
комплектации систем специального
назначения (атомная энергетика,
космические программы, транспорт,
системы двойного назначения)
115. Разработка и совершенствование 71,5 13,5 10 18 13 17 разработка и систематизация
методов, обеспечивающих качество ---- ---- -- -- -- -- методов расчетно-
и надежность 48 9 7 12 9 11 экспериментальной оценки
сложнофункциональной электронной показателей надежности
компонентной базы на этапах электронной компонентной базы,
опытно-конструкторских работ, разрешенной для применения в
освоения и производства аппаратуре, функционирующей в
специальных условиях и с
длительными сроками активного
существования
116. Создание и внедрение нового 63 12 10 15,5 10,5 15 разработка системы технологий
поколения основополагающих -- -- -- ---- ---- -- обеспечения жизненного цикла
документов по обеспечению 42 8 7 10 7 10 изделия при создании широкой
жизненного цикла изделия на номенклатуры электронной
этапах проектирования, компонентной базы
производства, применения и
утилизации электронной
компонентной базы
117. Научное сопровождение 125,5 25,5 19 30 23 28 оптимизация состава выполняемых
подпрограммы, в том числе: ----- ---- -- -- -- -- комплексов научно-
определение технологического и 84 17 13 20 15 19 исследовательских и опытно-
технического уровней развития конструкторских работ по развитию
отечественной и импортной электронной компонентной базы в
электронной компонентной базы на рамках подпрограммы и определение
основе их рубежных технико- перспективных направлений
экономических показателей, создания новых классов
разработка "маршрутных карт" электронной компонентной базы с
развития групп электронной установлением системы технико-
компонентной базы экономических и рубежных
технологических показателей,
разработка "маршрутных карт"
развития по направлениям
электронной компонентной базы
118. Создание интегрированной 71 15 11 17,5 12,5 15 проведение технико-экономической
информационно-аналитической -- -- -- ---- ---- -- оптимизации выполнения
автоматизированной системы по 48 10 7 12 9 10 комплексных годовых мероприятий
развитию электронной подпрограммы, создание системы
компонентной базы, охватывающей действенного финансового и
деятельность заказчика- технического контроля выполнения
координатора, заказчика и подпрограммы в целом
предприятий, участвующих в
выполнении комплекса программных
мероприятий, с целью оптимизации
состава участников, финансовых
средств, перечисляемой
государству прибыли и достижения
заданных технико-экономических
показателей разрабатываемой
электронной компонентной базы
119. Определение перспектив развития 64,5 13,5 11 16 12 12 формирование системно-
российской электронной ---- ---- -- -- -- -- ориентированных материалов по
компонентной базы на основе 42 9 7 10 8 8 экономике, технологиям
анализа динамики сегментов проектирования и производству
мирового и отечественного рынков электронной компонентной базы,
радиоэлектронной продукции и обобщение и анализ мирового опыта
действующей производственно- для выработки технически и
технологической базы экономически обоснованных решений
развития электронной компонентной
базы
120. Системный анализ результатов 60 12 11 15 12 10 создание отраслевой системы учета
выполнения комплекса мероприятий -- -- -- -- -- -- и планирования развития
подпрограммы на основе создания 41 8 8 11 8 7 разработки, производства и
отраслевой системы планирования применения электронной
и учета развития разработки, компонентной базы
производства и применения
электронной компонентной базы по
основным технико-экономическим
показателям
Всего по направлению 7 641,5 127,5 101 157 116 140
----- ----- --- --- --- ---
430 85 68 105 78 94
ИТОГО по разделу I 23820 3900 4290 4725 5190 5715
----- ---- ---- ---- ---- ----
15880 2600 2860 3150 3460 3810
II. Капитальные вложения
Федеральное агентство по промышленности
Техническое перевооружение производств сверхвысокочастотной техники
121. Реконструкция и техническое 2050 690 300 - 430 630 создание производственно-
перевооружение федерального ---- --- --- --- --- технологического комплекса по
государственного унитарного 1025 345 150 215 315 выпуску твердотельных
предприятия "Научно- <**> сверхвысокочастотных субмодулей
производственное предприятие мощностью 100 тыс. штук в год
"Исток", г. Фрязино <***>
122. Реконструкция и техническое 1730 620 220 - 370 520 создание производственной
перевооружение федерального ---- --- --- --- --- технологической линии по выпуску
государственного унитарного 865 <**> 310 110 185 260 сверхвысокочастотных приборов и
предприятия "Научно- модулей на широкозонных
производственное предприятие полупроводниках <***>
"Пульсар", г. Москва
123. Реконструкция и техническое 280 - - - 100 180 расширение мощностей по
перевооружение федерального --- --- --- производству активных элементов и
государственного унитарного 140 <**> 50 90 сверхвысокочастотных монолитных
предприятия "Научно- интегральных схем с повышенной
производственное предприятие радиационной стойкостью с 15 до
"Салют", г. Нижний Новгород 35 тыс. штук в год <***>
124. Реконструкция и техническое 280 - - - 100 180 ввод новых мощностей по
перевооружение федерального --- --- --- производству новейших образцов
государственного унитарного 140 <**> 50 90 ламп бегущей волны и других
предприятия "Научно- сверхвысокочастотных приборов, в
производственное предприятие том числе в миллиметровом
"Алмаз", г. Саратов диапазоне <***>
125. Реконструкция и техническое 440 - - - 160 280 реконструкция производственной
перевооружение федерального --- --- --- линии по выпуску новых
государственного унитарного 220 <**> 80 140 сверхмощных сверхвысокочастотных
предприятия "Научно- приборов с повышенным уровнем
производственное предприятие технических параметров,
"Торий", г. Москва надежности и долговечности <***>
Техническое перевооружение производств радиационно стойкой электронной компонентной базы
126. Техническое перевооружение 120 - - - 60 60 реконструкция производственной
федерального государственного --- -- -- линии для выпуска новых изделий
унитарного предприятия 60 <**> 30 30 радиационно стойкой электронной
"Новосибирский завод компонентной базы, необходимой
полупроводниковых приборов с для предприятий Росатома и
ОКБ", г. Новосибирск Роскосмоса <***>
127. Техническое перевооружение 180 - - - 100 80 создание производственных
федерального государственного --- --- -- мощностей по выпуску радиационно
унитарного предприятия "Научно- 90 <**> 50 40 стойкой электронной компонентной
производственное предприятие базы в количестве 80 - 100 тыс.
"Восток", штук в год для комплектования
г. Новосибирск важнейших специальных систем
<***>
128. Техническое перевооружение 1520 - 900 620 - - техническое перевооружение завода
открытого акционерного общества ---- --- --- для выпуска сверхбольших
"НИИ молекулярной электроники и 760 <**> 450 310 интегральных схем с
завод "Микрон", г. Москва топологическими нормами 0,18 мкм
(2008 год), 0,13 мкм (2009 год)
<***>
Техническое перевооружение производств изделий микросистемной и электронной техники
129. Техническое перевооружение 240 - - 120 120 - организация участка прецизионной
федерального государственного --- --- --- оптической и механической
унитарного предприятия "Научно- 120 <**> 60 60 обработки деталей для лазерных
исследовательский институт излучателей, твердотельных
"Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", г. лазеров и бескарданных лазерных
Москва гироскопов нового поколения <***>
130. Техническое перевооружение 620 - - 580 40 - создание новых производственных
открытого акционерного общества --- --- -- мощностей для выпуска
"Светлана", 310 <**> 290 20 микроэлектронных датчиков
г. Санкт-Петербург физических величин и электронных
датчиков для экспресс-контроля
параметров крови и
жизнедеятельности человека <***>
131. Техническое перевооружение 120 - - 120 - - создание производственной линии
открытого акционерного общества --- --- для выпуска тонко- и
"Резистор - НН", г. Нижний 60 <**> 60 толстопленочных микрочипов
Новгород прецизионных и
сверхвысокочастотных резисторов,
интегральных сборок <***>
132. Техническое перевооружение 120 - - 120 - - техническое перевооружение
федерального государственного --- --- действующего производства
унитарного предприятия "Научно- 60 <**> 60 электронной компонентной базы и
исследовательский институт микросистемотехники для создания
электронно-механических новых рядов конкурентоспособных
приборов", изделий электронной техники <***>
г. Пенза
133. Техническое перевооружение 120 - - - 120 - техническое перевооружение
федерального государственного --- --- действующих производственных
унитарного предприятия "Научно- 60 <**> 60 мощностей по выпуску сверхбольших
исследовательский институт интегральных схем и мощных
электронной техники", г. Воронеж сверхвысокочастотных транзисторов
с объемом выпуска сверхбольших
интегральных схем 50 тыс. штук в
год, мощных сверхвысокочастотных
транзисторов 10 тыс. штук в год
<***>
134. Техническое перевооружение 100 - - - 100 - техническое перевооружение
федерального государственного --- --- производства новых электронных
унитарного предприятия "Научно- 50 <**> 50 материалов, используемых в
исследовательский институт микросистемотехнике,
электронных материалов", г. микроэлектронике и квантовой
Владикавказ электронике <***>
135. Техническое перевооружение 200 - - - 60 140 создание новых производственных
федерального государственного --- -- --- мощностей по выпуску
унитарного предприятия 100 <**> 30 70 оптоволоконных соединителей
"Производственное объединение изделий микромеханики <***>
"Октябрь", г. Каменск-Уральский
136. Техническое перевооружение 200 - - 100 100 - создание спецтехнологической
открытого акционерного общества --- --- --- линии, включающей чистые
"Авангард", г. Санкт-Петербург 100 <**> 50 50 производственные помещения и
технологическое оборудование для
выпуска современных
микроэлектромеханических и
микроакустоэлектромеханических
систем мирового класса <***>
137. Техническое перевооружение 160 - 120 40 - - организация серийного
федерального государственного --- --- -- производства параметрических
унитарного предприятия "Научно- 80 <**> 60 20 рядов мембранных датчиков (10
исследовательский институт млн. штук в год к 2008 году) и
физических проблем им. чувствительных элементов для
Ф.В. Лукина", г. Москва сканирующей зондовой микроскопии
(0,3 млн. шт. в год) <***>
Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки)
для создания базовых центров системного проектирования
138. Реконструкция и техническое 160 - - - 60 100 создание межотраслевого базового
перевооружение (приобретение --- -- --- центра системного проектирования
оборудования, не входящего в 80 <**> 30 50 площадью 800 кв. м <***>
смету стройки) федерального
государственного унитарного
предприятия "Научно-
исследовательский институт
микроэлектронной аппаратуры
"Прогресс", г. Москва, для
создания межотраслевого центра
проектирования
139. Реконструкция и техническое 120 - 120 - - - создание базового центра
перевооружение (приобретение --- --- системного проектирования
оборудования, не входящего в 60 <**> 60 площадью 500 кв. м <***>
смету стройки) открытого
акционерного общества "Научно-
производственное объединение
"Алмаз" имени академика А.А.
Расплетина", г. Москва, для
создания базового центра
проектирования
140. Реконструкция и техническое 120 - - - 120 - создание базового центра
перевооружение (приобретение --- --- системного проектирования
оборудования, не входящего в 60 <**> 60 площадью 500 кв. м <***>
смету стройки) открытого
акционерного общества
"Московский научно-
исследовательский институт
"Агат", г. Жуковский, для
создания базового центра
проектирования
141. Реконструкция и техническое 80 - - 30 - 50 создание базового центра
перевооружение (приобретение -- -- -- системного проектирования
оборудования, не входящего в 40 <**> 15 25 площадью 400 кв. м <***>
смету стройки) открытого
акционерного общества
"Всероссийский научно-
исследовательский институт
радиотехники", г. Москва, для
создания базового центра
проектирования
142. Реконструкция и техническое 120 120 - - - - создание базового центра
перевооружение (приобретение --- --- системного проектирования
оборудования, не входящего в 60 <**> 60 площадью 500 кв. м <***>
смету стройки) государственного
унитарного предприятия "Научно-
производственный центр
"Электронные вычислительно-
информационные системы", г.
Москва, для создания базового
центра проектирования
143. Реконструкция и техническое 460 - - 60 140 260 создание базового центра
перевооружение (приобретение --- -- --- --- системного проектирования
оборудования, не входящего в 230 <**> 30 70 130 площадью 1000 кв. м <***>
смету стройки) открытого
акционерного общества "НИИ
молекулярной электроники и завод
"Микрон", г. Москва, для
создания базового центра
проектирования
144. Реконструкция и техническое 140 - - - 140 - создание базового центра
перевооружение (приобретение --- --- системного проектирования
оборудования, не входящего в 70 <**> 70 площадью 600 кв. м <***>
смету стройки) открытого
акционерного общества "Научно-
исследовательский центр
электронной вычислительной
техники", г. Москва, для
создания базового центра
проектирования
145. Реконструкция и техническое 140 - - - - 140 создание базового центра
перевооружение (приобретение --- --- системного проектирования
оборудования, не входящего в 70 <**> 70 площадью 600 кв. м <***>
смету стройки) федерального
государственного унитарного
предприятия "Научно-
производственное предприятие
"Восток", г. Новосибирск, для
создания базового центра
проектирования
146. Реконструкция и техническое 200 - - - 80 120 создание базового центра
перевооружение (приобретение --- -- --- системного проектирования
оборудования, не входящего в 100 <**> 40 60 площадью 700 кв. м <***>
смету стройки) открытого
акционерного общества "Концерн
"Созвездие", г. Воронеж, для
создания базового центра
проектирования
147. Реконструкция и техническое 200 - - - 80 120 создание базового центра
перевооружение (приобретение --- -- --- системного проектирования
оборудования, не входящего в 100 <**> 40 60 площадью 700 кв. м <***>
смету стройки) открытого
акционерного общества "Концерн
радиостроения "Вега", г. Москва,
для создания базового центра
проектирования
148. Реконструкция и техническое 120 - - - 120 - создание базового центра
перевооружение (приобретение --- --- системного проектирования
оборудования, не входящего в 60 <**> 60 площадью 500 кв. м <***>
смету стройки) федерального
государственного унитарного
предприятия "Ростовский-на-Дону
научно-исследовательский
институт радиосвязи",
г. Ростов-на-Дону, для создания
базового центра проектирования
149. Реконструкция и техническое 120 90 - - - 30 создание базового центра
перевооружение (приобретение --- -- -- системного проектирования
оборудования, не входящего в 60 <**> 45 15 площадью 500 кв. м <***>
смету стройки) федерального
государственного унитарного
предприятия "Омский научно-
исследовательский институт
приборостроения", г. Омск, для
создания базового центра
проектирования
150. Реконструкция и техническое 120 - - - - 120 создание базового центра
перевооружение (приобретение --- --- системного проектирования
оборудования, не входящего в 60 <**> 60 площадью 500 кв. м <***>
смету стройки) открытого
акционерного общества
"Российский институт
радионавигации и времени",
г. Санкт-Петербург, для создания
базового центра проектирования
151. Реконструкция и техническое 380 - 130 250 - - создание базового центра
перевооружение (приобретение --- --- --- системного проектирования
оборудования, не входящего в 190 <**> 65 125 площадью 1000 кв. м <***>
смету стройки) открытого
акционерного общества
"Светлана", г. Санкт-Петербург,
для создания базового центра
проектирования
152. Реконструкция и техническое 360 - - - 160 200 создание базового центра
перевооружение (приобретение --- --- --- системного проектирования
оборудования, не входящего в 180 <**> 80 100 площадью 800 кв. м <***>
смету стройки) открытого
акционерного общества
"Центральный научно-
исследовательский институт
"Циклон", г. Москва, для
создания базового центра
проектирования
153. Реконструкция и техническое 120 - - - 120 - создание базового центра
перевооружение (приобретение --- --- системного проектирования
оборудования, не входящего в 60 <**> 60 площадью 500 кв. м <***>
смету стройки) федерального
государственного унитарного
предприятия "Научно-
исследовательский институт
"Аргон", г. Москва, для создания
базового центра проектирования
154. Реконструкция и техническое 120 90 - - - 30 создание базового центра
перевооружение (приобретение --- -- -- системного проектирования
оборудования, не входящего в 60 <**> 45 15 площадью 500 кв. м <***>
смету стройки) федерального
государственного унитарного
предприятия "НПО "Орион", г.
Москва, для создания базового
центра проектирования
155. Реконструкция и техническое 160 160 - - - - создание базового центра
перевооружение (приобретение --- --- системного проектирования
оборудования, не входящего в 80 <**> 80 площадью 600 кв. м <***>
смету стройки) федерального
государственного унитарного
предприятия "Научно-
исследовательский институт
телевидения", г. Санкт-
Петербург, для создания базового
центра проектирования
156. Реконструкция и техническое 120 - - - 120 - создание базового центра
перевооружение (приобретение --- --- системного проектирования
оборудования, не входящего в 60 <**> 60 площадью 500 кв. м <***>
смету стройки) федерального
государственного унитарного
предприятия "Новосибирский завод
полупроводниковых приборов с
ОКБ", г. Новосибирск, для
создания базового центра
проектирования
157. Реконструкция и техническое 220 200 20 - - - создание базового центра
перевооружение (приобретение --- --- -- системного проектирования
оборудования, не входящего в 110 <**> 100 10 площадью 900 кв. м <***>
смету стройки) федерального
государственного унитарного
предприятия "Научно-
исследовательский институт
физических проблем им.
Ф.В. Лукина", г. Москва, для
создания базового центра
проектирования
158. Реконструкция и техническое 140 - - - - 140 создание базового центра
перевооружение (приобретение --- --- системного проектирования
оборудования, не входящего в 70 <**> 70 площадью 600 кв. м <***>
смету стройки) открытого
акционерного общества "Концерн
"Океанприбор", г. Санкт-
Петербург, для создания базового
центра проектирования
159. Реконструкция и техническое 160 160 - - - - создание базового центра
перевооружение (приобретение --- --- системного проектирования
оборудования, не входящего в 80 <**> 80 площадью 650 кв. м <***>
смету стройки) федерального
государственного унитарного
предприятия "Научно-
производственное предприятие
"Полет", г. Нижний Новгород, для
создания базового центра
проектирования
160. Реконструкция и техническое 160 - 160 - - - создание базового центра
перевооружение (приобретение --- --- системного проектирования
оборудования, не входящего в 80 <**> 80 площадью 650 кв. м <***>
смету стройки) федерального
государственного унитарного
предприятия "Нижегородский
научно-исследовательский
приборостроительный институт
"Кварц", г. Нижний Новгород, для
создания базового центра
проектирования
161. Реконструкция и техническое 160 160 - - - - создание базового центра
перевооружение (приобретение --- --- системного проектирования
оборудования, не входящего в 80 <**> 80 площадью 650 кв. м <***>
смету стройки) федерального
государственного унитарного
предприятия "Научно-
исследовательский институт
автоматической аппаратуры им.
академика В.С. Семенихина", г.
Москва, для создания базового
центра проектирования
162. Реконструкция и техническое 160 - 160 - - - создание базового центра
перевооружение (приобретение --- --- системного проектирования
оборудования, не входящего в 80 <**> 80 площадью 650 кв. м <***>
смету стройки) открытого
акционерного общества
"Корпорация "Тактическое
ракетное вооружение", г.
Королев, Московская область, для
создания базового центра
проектирования
163. Реконструкция и техническое 120 60 60 - - - создание базового центра
перевооружение (приобретение --- -- -- системного проектирования
оборудования, не входящего в 60 <**> 30 30 площадью 500 кв. м <***>
смету стройки) федерального
государственного унитарного
предприятия "Государственный
научно-исследовательский
институт авиационных систем", г.
Москва, для создания базового
центра проектирования
Строительство и приобретение технологического и контрольного оборудования для создания межотраслевого
центра проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов
164. Строительство межотраслевого 1200 - 400 800 - - создание межотраслевого центра
центра проектирования, ---- --- --- проектирования, каталогизации и
каталогизации открытого 600 <**> 200 400 изготовления фотошаблонов
акционерного общества площадью 5000 кв. м <***>
"Российская электроника", г.
Москва, и приобретение
технологического и контрольного
оборудования
Итого по Федеральному агентству 14160 2350 2590 2840 3000 3380
по промышленности ----- ---- ---- ---- ---- ----
7080 1175 1295 1420 1500 1690
<**>
Федеральное агентство по образованию
Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки)
для создания базовых центров системного проектирования
165. Реконструкция и техническое 120 - - 60 60 - создание базового центра
перевооружение (приобретение --- -- -- системного проектирования
оборудования, не входящего в 60 <**> 30 30 площадью 500 кв. м <***>
смету стройки) государственного
образовательного учреждения
"Московский государственный
институт электронной техники",
г. Москва, для создания базового
центра проектирования
166. Реконструкция и техническое 100 50 50 - - - создание базового центра
перевооружение (приобретение --- -- -- системного проектирования
оборудования, не входящего в 50 <**> 25 25 площадью 500 кв. м <***>
смету стройки) государственного
образовательного учреждения
высшего профессионального
образования "Московский
государственный институт
радиотехники, электроники и
автоматики", г. Москва, для
создания базового центра
проектирования
Итого по Федеральному агентству 220 50 50 60 60 -
по образованию --- -- -- -- --
110 <**> 25 25 30 30
Федеральное агентство по атомной энергии
Техническое перевооружение производств радиационно стойкой ЭКБ
167. Техническое перевооружение 140 - - - 80 60 создание технологического
федерального государственного --- -- -- комплекса для производства
унитарного предприятия "ФНПЦ 70 <**> 40 30 сверхвысокочастотных монолитных
Научно-исследовательский институт интегральных схем на
измерительных систем им. широкозонных полупроводниковых
Ю.Е. Седакова", г. Нижний Новгород материалах <***>
Итого по Федеральному агентству 140 - - - 80 60
по атомной энергии --- -- --
70 <**> 40 30
Федеральное космическое агентство
Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки)
для создания базовых центров системного проектирования
168. Реконструкция и техническое 120 - - - 60 60 создание базового центра
перевооружение (приобретение --- -- -- системного проектирования
оборудования, не входящего в 60 <**> 30 30 площадью 500 кв. м <***>
смету стройки) федерального
государственного унитарного
предприятия "Российский научно-
исследовательский институт
космического приборостроения", г.
Москва, для создания базового
центра проектирования
Итого по Федеральному 120 - - - 60 60
космическому агентству --- -- --
60 <**> 30 30
───────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────
--------------------------------
<*> В числителе - указывается общая стоимость работ, в знаменателе - объем финансирования из федерального бюджета.
<**> Объемы финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.
<***> Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.
Примечание. Срок получения предусмотренных настоящим перечнем результатов работ соответствует году окончания их финансирования.
